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Un material con alta conductividad térmica –CVD

76867a0ee26dd7f9590dcba7c9efdd6ECVEs el material con la mayor conductividad térmica entre las sustancias naturales conocidas. La conductividad térmica del diamante CVD alcanza los 2200 W/mK, cinco veces la del cobre. Es un material de disipación de calor con una conductividad térmica ultraalta. Esta conductividad térmica ultraalta del diamante CVD disipa eficazmente el calor generado por el dispositivo y es el mejor material de gestión térmica para dispositivos con alta densidad de flujo térmico.
La aplicación de dispositivos semiconductores de potencia de tercera generación en campos de alta tensión y alta frecuencia se ha convertido gradualmente en el foco del desarrollo de la industria global de semiconductores. Los dispositivos de GaN se utilizan ampliamente en campos de alta frecuencia y alta potencia, como las comunicaciones 5G y la detección de radar. Con el aumento de la densidad de potencia y la miniaturización de los dispositivos, el efecto de autocalentamiento en el área activa del chip aumenta rápidamente, lo que provoca una disminución de la movilidad de los portadores y la atenuación de las características estáticas de 1 V del dispositivo, un rápido deterioro de diversos indicadores de rendimiento y un serio desafío a la fiabilidad y estabilidad del dispositivo. La integración de chips de GaN y diamante CVD de conductividad térmica ultraalta en la unión cercana puede disipar eficazmente el calor generado por el dispositivo, mejorar su fiabilidad y vida útil, y lograr sistemas electrónicos compactos.
El diamante CVD con ultraalta conductividad térmica es el mejor material de disipación de calor para componentes electrónicos de alta potencia, alto rendimiento, miniaturizados y altamente integrados. Se utiliza ampliamente en comunicaciones 5G, defensa nacional, aeroespacial, transporte y otros campos. Casos de aplicación típicos y ventajas de rendimiento de los materiales de diamante con ultraalta conductividad térmica:
1. Disipación de calor del dispositivo de radiofrecuencia GaN de radar (alta potencia, alta frecuencia y miniaturización).
2. Disipación de calor del láser semiconductor (alta potencia de salida y alta eficiencia de conversión electroóptica).
3. Disipación de calor de la estación base de comunicación de alta frecuencia (alta potencia, alta frecuencia).
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Hora de publicación: 10 de octubre de 2023