Si e InGaAs, PIN y APD, longitud de onda: 400-1100 nm, 900-1700 nm. (Adecuado para sistemas de alcance láser, medición de velocidad, medición de ángulo, detección fotoeléctrica y contramedidas fotoeléctricas).
El rango espectral del material InGaAs es de 900 a 1700 nm y el ruido de multiplicación es menor que el del material de germanio. Generalmente se utiliza como región multiplicadora para diodos de heteroestructura. El material es adecuado para comunicaciones de fibra óptica de alta velocidad y los productos comerciales han alcanzado velocidades de 10 Gbit/s o superiores.