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Cristales de AgGaSe2: bordes de banda a 0,73 y 18 µm

Descripción breve:

Los cristales AGSe₂ AgGaSe₂(AgGa(1-x)InxSe₂) presentan bordes de banda a 0,73 y 18 µm. Su útil rango de transmisión (0,9–16 µm) y su amplia capacidad de adaptación de fase ofrecen un excelente potencial para aplicaciones OPO al ser bombeados por diversos láseres.


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Descripción del Producto

Se ha obtenido una sintonización de 2,5 a 12 µm al bombear con láser Ho:YLF a 2,05 µm, así como una operación de adaptación de fase no crítica (NCPM) de 1,9 a 5,5 µm al bombear a 1,4 a 1,55 µm. Se ha demostrado que AgGaSe₂ (AgGaSe₂) es un cristal duplicador de frecuencia eficiente para la radiación infrarroja de láseres de CO₂.
Al trabajar en combinación con osciladores paramétricos ópticos de bombeo síncrono (SPOPO) disponibles comercialmente en el régimen de femtosegundos y picosegundos, los cristales de AgGaSe₂ han demostrado ser eficaces en la conversión descendente paramétrica no lineal (generación de frecuencia diferencial, DGF) en la región del infrarrojo medio. El cristal no lineal de AgGaSe₂ en el infrarrojo medio posee uno de los mayores índices de mérito (70 pm²/V²) entre los cristales disponibles comercialmente, seis veces superior al de su equivalente AGS. El AgGaSe₂ también es preferible a otros cristales en el infrarrojo medio por diversas razones específicas. Por ejemplo, el AgGaSe₂ presenta una menor pérdida de espacio y es menos fácil de tratar para aplicaciones específicas (por ejemplo, dirección de crecimiento y corte), a pesar de presentar mayor no linealidad y un área de transparencia equivalente.

Aplicaciones

● Generación de segundos armónicos en CO y CO2 - láseres
● Oscilador paramétrico óptico
● Generador de frecuencias diferentes para regiones infrarrojas medias hasta 17 mkm.
● Mezcla de frecuencias en la región IR media

Propiedades básicas

Estructura cristalina Tetragonal
Parámetros de la celda a=5,992 Å, c=10,886 Å
Punto de fusión 851 °C
Densidad 5.700 g/cm3
Dureza de Mohs 3-3.5
Coeficiente de absorción <0,05 cm-1 a 1,064 µm
<0,02 cm-1 a 10,6 µm
Constante dieléctrica relativa
a 25 MHz
ε11s=10,5
ε11t=12.0
Expansión térmica
Coeficiente
||C: -8,1 x 10-6 /°C
⊥C: +19,8 x 10-6 /°C
Conductividad térmica 1,0 W/M/°C

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