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Cristales AgGaSe2: bordes de banda a 0,73 y 18 µm

Breve descripción:

Los cristales AGSe2 AgGaSe2(AgGa(1-x)InxSe2) tienen bordes de banda de 0,73 y 18 µm.Su útil rango de transmisión (0,9–16 µm) y su amplia capacidad de adaptación de fases brindan un excelente potencial para aplicaciones OPO cuando se bombean con una variedad de láseres diferentes.


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Descripción del Producto

Se obtuvo una sintonización entre 2,5 y 12 µm cuando se bombea con láser Ho:YLF a 2,05 µm;así como operación de coincidencia de fases no críticas (NCPM) dentro de 1,9–5,5 µm cuando se bombea a 1,4–1,55 µm.Se ha demostrado que AgGaSe2 (AgGaSe) es un cristal eficiente que duplica la frecuencia para la radiación láser infrarroja de CO2.
Al trabajar en combinación con osciladores ópticos paramétricos bombeados sincrónicamente (SPOPO) disponibles comercialmente en el régimen de femtosegundos y picosegundos, los cristales de AgGaSe2 han demostrado ser efectivos en la conversión descendente paramétrica no lineal (generación de frecuencia de diferencia, DGF) en la región del IR medio.El cristal AgGaSe2 no lineal de IR medio posee una de las mayores cifras de mérito (70 pm2/V2) entre los cristales comercialmente accesibles, que es seis veces más que el equivalente AGS.AgGaSe2 también es preferible a otros cristales de IR medio por varias razones específicas.AgGaSe2, por ejemplo, tiene una menor distancia espacial y está menos disponible para ser tratado en aplicaciones específicas (crecimiento y dirección de corte, por ejemplo), aunque tiene una mayor no linealidad y un área de transparencia equivalente.

Aplicaciones

● Generación de segundos armónicos en CO y CO2 - láseres
● Oscilador óptico paramétrico
● Generador de diferente frecuencia para regiones de infrarrojo medio hasta 17 mkm.
● Mezcla de frecuencias en la región IR media

Propiedades básicas

Estructura cristalina tetragonal
Parámetros de celda a=5,992 Å, c=10,886 Å
Punto de fusion 851ºC
Densidad 5.700 g/cm3
Dureza de Mohs 3-3.5
Coeficiente de absorción <0,05 cm-1 a 1,064 µm
<0,02 cm-1 a 10,6 µm
Constante dieléctrica relativa
@ 25MHz
ε11s=10,5
ε11t=12,0
Expansión térmica
Coeficiente
||C: -8,1 x 10-6/°C
⊥C: +19,8 x 10-6 /°C
Conductividad térmica 1,0 W/M/°C

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