Nd:YVO4 – Láseres de estado sólido bombeados por diodos
Descripción del Producto
Nd:YVO4 puede producir láseres IR, verdes y azules potentes y estables con el diseño de Nd:YVO4 y cristales de duplicación de frecuencia. Para las aplicaciones en las que se necesita un diseño más compacto y una salida de modo longitudinal único, Nd:YVO4 muestra sus ventajas particulares sobre otros cristales láser comúnmente utilizados.
Ventajas del Nd:YVO4
● Umbral láser bajo y alta eficiencia en pendientes.
● Gran sección transversal de emisión estimulada en longitud de onda láser
● Alta absorción en un amplio ancho de banda de longitud de onda de bombeo
● Ópticamente uniaxial y de gran birrefringencia emite láser polarizado.
● Baja dependencia de la longitud de onda de bombeo y tendencia a la salida de modo único
Propiedades básicas
| Densidad atómica | ~1,37x1020 átomos/cm2 |
| Estructura cristalina | Circón Tetragonal, grupo espacial D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Densidad | 4,22 g/cm2 |
| Dureza de Mohs | Como vidrio, 4,6 ~ 5 |
| Expansión térmica Coeficiente | αa=4,43x10-6/K, αc=11,37x10-6/K |
| Punto de fusión | 1810 ± 25℃ |
| Longitudes de onda láser | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Óptico Térmico Coeficiente | adn/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Emisión estimulada Sección transversal | 25,0x10-19 cm2, a 1064 nm |
| Fluorescente Vida | 90 ms (aproximadamente 50 ms para 2 atm% dopado con Nd) @ 808 nm |
| Coeficiente de absorción | 31,4 cm-1 a 808 nm |
| Longitud de absorción | 0,32 mm a 808 nm |
| Pérdida intrínseca | Menos 0,1% cm-1, @1064 nm |
| Ganar ancho de banda | 0,96 nm (257 GHz) a 1064 nm |
| Láser polarizado Emisión | paralelo al eje óptico (eje c) |
| Diodo bombeado Óptico a Óptico Eficiencia | > 60% |
| Ecuación de Sellmeier (para cristales YVO4 puros) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Parámetros técnicos
| Concentración de dopante nd | 0,2 ~ 3 atm% |
| Tolerancia dopante | dentro del 10% de la concentración |
| Longitud | 0,02 ~ 20 mm |
| Especificación de recubrimiento | AR @ 1064 nm, R < 0,1 % y HT @ 808 nm, T > 95 % |
| FC @ 1064 nm, R>99,8 % y HT @ 808 nm, T>9 % | |
| FC @ 1064 nm, R>99,8 %, FC @ 532 nm, R>99 % y HT @ 808 nm, T>95 % | |
| Orientación | dirección cristalina de corte a (+/-5 ℃) |
| Tolerancia dimensional | +/-0,1 mm (típico), alta precisión +/-0,005 mm puede estar disponible a pedido. |
| Distorsión del frente de onda | <λ/8 a 633 nm |
| Calidad de la superficie | Mejor que 20/10 Scratch/Dig según MIL-O-1380A |
| Paralelismo | < 10 segundos de arco |
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