Nd:YVO4 – Láseres de estado sólido bombeados por diodo
Descripción del Producto
El Nd:YVO4 puede producir láseres IR, verdes y azules potentes y estables gracias al diseño de Nd:YVO4 y cristales de duplicación de frecuencia. Para aplicaciones que requieren un diseño más compacto y una salida monomodo longitudinal, el Nd:YVO4 presenta ventajas particulares sobre otros cristales láser de uso común.
Ventajas de Nd:YVO4
● Umbral láser bajo y alta eficiencia de pendiente
● Gran sección transversal de emisión estimulada en la longitud de onda del láser
● Alta absorción en un amplio ancho de banda de longitud de onda de bombeo
● Ópticamente uniaxial y de gran birrefringencia emite láser polarizado
● Baja dependencia de la longitud de onda de bombeo y tendencia a la salida monomodo
Propiedades básicas
| Densidad atómica | ~1,37x1020 átomos/cm2 |
| Estructura cristalina | Circón tetragonal, grupo espacial D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Densidad | 4,22 g/cm2 |
| Dureza de Mohs | Similar al vidrio, 4,6 ~ 5 |
| Expansión térmica Coeficiente | αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K |
| Punto de fusión | 1810 ± 25℃ |
| Longitudes de onda láser | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Óptica térmica Coeficiente | adn/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Emisión estimulada Sección transversal | 25,0 x 10-19 cm2, a 1064 nm |
| Fluorescente Vida | 90 ms (aproximadamente 50 ms para Nd dopado al 2 atm%) a 808 nm |
| Coeficiente de absorción | 31,4 cm-1 a 808 nm |
| Longitud de absorción | 0,32 mm a 808 nm |
| Pérdida intrínseca | Menos 0,1 % cm-1, a 1064 nm |
| Ganar ancho de banda | 0,96 nm (257 GHz) a 1064 nm |
| Láser polarizado Emisión | paralelo al eje óptico (eje c) |
| Bombeado por diodo Óptico a Óptico Eficiencia | > 60% |
| Ecuación de Sellmeier (para cristales de YVO4 puros) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Parámetros técnicos
| Concentración de dopante Nd | 0,2 ~ 3 atm% |
| Tolerancia a los dopantes | dentro del 10% de concentración |
| Longitud | 0,02 ~ 20 mm |
| Especificación del recubrimiento | AR a 1064 nm, R < 0,1 % y HT a 808 nm, T > 95 % |
| HR a 1064 nm, R > 99,8 % y HT a 808 nm, T > 9 % | |
| HR a 1064 nm, R > 99,8 %, HR a 532 nm, R > 99 % y HT a 808 nm, T > 95 % | |
| Orientación | Dirección cristalina de corte A (+/-5 ℃) |
| Tolerancia dimensional | +/-0,1 mm (típico), alta precisión +/-0,005 mm puede estar disponible a pedido. |
| Distorsión del frente de onda | <λ/8 a 633 nm |
| Calidad de la superficie | Mejor que 20/10 Scratch/Dig según MIL-O-1380A |
| Paralelismo | < 10 segundos de arco |
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