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Nd:YVO4 – Láseres de estado sólido bombeados por diodos

Breve descripción:

Nd:YVO4 es uno de los cristales anfitriones de láser más eficientes que existen actualmente para láseres de estado sólido bombeados por láser de diodo.Nd:YVO4 es un cristal excelente para láseres de estado sólido bombeados por diodos estables, rentables y de alta potencia.


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Descripción del Producto

Nd:YVO4 puede producir láseres IR, verdes y azules potentes y estables con el diseño de Nd:YVO4 y cristales de duplicación de frecuencia.Para las aplicaciones en las que se necesita un diseño más compacto y una salida de modo longitudinal único, Nd:YVO4 muestra sus ventajas particulares sobre otros cristales láser comúnmente utilizados.

Ventajas del Nd:YVO4

● Umbral láser bajo y alta eficiencia en pendientes.
● Gran sección transversal de emisión estimulada en longitud de onda láser
● Alta absorción en un amplio ancho de banda de longitud de onda de bombeo
● Ópticamente uniaxial y de gran birrefringencia emite láser polarizado.
● Baja dependencia de la longitud de onda de bombeo y tendencia a la salida de modo único

Propiedades básicas

Densidad atómica ~1,37x1020 átomos/cm2
Estructura cristalina Circón Tetragonal, grupo espacial D4h, a=b=7,118, c=6,293
Densidad 4,22 g/cm2
Dureza de Mohs Como vidrio, 4,6 ~ 5
Expansión térmica
Coeficiente
αa=4,43x10-6/K, αc=11,37x10-6/K
Punto de fusion 1810 ± 25℃
Longitudes de onda láser 914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Óptico Térmico
Coeficiente
adn/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Emision estimulada
Sección transversal
25,0x10-19 cm2, a 1064 nm
Fluorescente
Toda la vida
90 ms (aproximadamente 50 ms para 2 atm% dopado con Nd)
@ 808 nm
Coeficiente de absorción 31,4 cm-1 a 808 nm
Longitud de absorción 0,32 mm a 808 nm
Pérdida intrínseca Menos 0,1% cm-1, @1064 nm
Ganar ancho de banda 0,96 nm (257 GHz) a 1064 nm
Láser polarizado
Emisión
paralelo al eje óptico (eje c)
Diodo bombeado
Óptico a Óptico
Eficiencia
> 60%
Ecuación de Sellmeier (para cristales YVO4 puros) no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
  no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Parámetros técnicos

Concentración de dopante nd 0,2 ~ 3 atm%
Tolerancia dopante dentro del 10% de la concentración
Longitud 0,02 ~ 20 mm
Especificación de recubrimiento AR @ 1064 nm, R < 0,1 % y HT @ 808 nm, T > 95 %
FC @ 1064 nm, R>99,8 % y HT @ 808 nm, T>9 %
FC @ 1064 nm, R>99,8 %, FC @ 532 nm, R>99 % y HT @ 808 nm, T>95 %
Orientación dirección cristalina de corte a (+/-5 ℃)
Tolerancia Dimensional +/-0,1 mm (típico), alta precisión +/-0,005 mm puede estar disponible a pedido.
Distorsión del frente de onda <λ/8 a 633 nm
Calidad de la superficie Mejor que 20/10 Scratch/Dig según MIL-O-1380A
Paralelismo < 10 segundos de arco

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