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Productos

ZnGeP2: una óptica no lineal infrarroja saturada

Descripción breve:

Debido a que posee grandes coeficientes no lineales (d36 = 75 pm/V), amplio rango de transparencia infrarroja (0,75-12 μm), alta conductividad térmica (0,35 W/(cm·K)), alto umbral de daño láser (2-5 J/cm2) y buena propiedad de mecanizado, ZnGeP2 fue llamado el rey de la óptica no lineal infrarroja y sigue siendo el mejor material de conversión de frecuencia para la generación de láser infrarrojo sintonizable de alta potencia.


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Descripción del Producto

Debido a estas propiedades únicas, se le considera uno de los materiales más prometedores para aplicaciones ópticas no lineales. El ZnGeP₂ puede generar una salida láser continua ajustable de 3 a 5 μm mediante la tecnología de oscilación paramétrica óptica (OPO). Los láseres que operan en la ventana de transmisión atmosférica de 3 a 5 μm son de gran importancia para numerosas aplicaciones, como la contramedida infrarroja, la monitorización química, los aparatos médicos y la teledetección.

Podemos ofrecer ZnGeP2 de alta calidad óptica con un coeficiente de absorción extremadamente bajo α < 0,05 cm-1 (en longitudes de onda de bombeo de 2,0-2,1 µm), que se puede utilizar para generar un láser sintonizable en el infrarrojo medio con alta eficiencia a través de procesos OPO u OPA.

Nuestra capacidad

Se creó y aplicó la Tecnología de Campo de Temperatura Dinámica para sintetizar ZnGeP2 policristalino. Mediante esta tecnología, se sintetizaron más de 500 g de ZnGeP2 policristalino de alta pureza con granos grandes en una sola prueba.
El método de congelación de gradiente horizontal combinado con la tecnología de estrangulamiento direccional (que puede reducir la densidad de dislocación de manera eficiente) se ha aplicado con éxito al crecimiento de ZnGeP2 de alta calidad.
El ZnGeP2 de alta calidad a nivel de kilogramo con el diámetro más grande del mundo (Φ55 mm) se ha cultivado con éxito mediante el método de congelación de gradiente vertical.
La rugosidad y planitud de la superficie de los dispositivos de cristal, menores a 5Å y 1/8λ respectivamente, se han obtenido mediante nuestra tecnología de tratamiento de superficie con trampa fina.
La desviación del ángulo final de los dispositivos de cristal es inferior a 0,1 grados debido a la aplicación de una orientación precisa y técnicas de corte precisas.
Los dispositivos con excelente rendimiento se han logrado gracias a la alta calidad de los cristales y a la tecnología de procesamiento de cristales de alto nivel (el láser sintonizable de infrarrojo medio de 3-5 μm se ha generado con una eficiencia de conversión superior al 56 % cuando se bombea con una fuente de luz de 2 μm).
Nuestro grupo de investigación, mediante la exploración continua y la innovación técnica, ha dominado con éxito la tecnología de síntesis de policristalinos de ZnGeP2 de alta pureza, la tecnología de crecimiento de ZnGeP2 de gran tamaño y alta calidad, así como la orientación cristalina y el procesamiento de alta precisión. Esto le permite proporcionar dispositivos de ZnGeP2 y cristales originales de crecimiento a gran escala con alta uniformidad, bajo coeficiente de absorción, buena estabilidad y alta eficiencia de conversión. Asimismo, hemos establecido una plataforma integral para pruebas de rendimiento de cristales que nos permite ofrecer servicios de prueba de rendimiento de cristales a nuestros clientes.

Aplicaciones

● Generación de armónicos de segundo, tercer y cuarto nivel del láser de CO2
● Generación paramétrica óptica con bombeo a una longitud de onda de 2,0 µm
● Generación de segundo armónico del láser CO
● Producción de radiación coherente en el rango submilimétrico de 70,0 µm a 1000 µm
● Generación de frecuencias combinadas de radiación de láseres de CO2 y CO2 y otros láseres que trabajan en la región de transparencia del cristal.

Propiedades básicas

Químico ZnGeP2
Simetría y clase de los cristales tetragonal, -42 m
Parámetros de red a = 5,467 Å
c = 12,736 Å
Densidad 4,162 g/cm3
Dureza de Mohs 5.5
Clase óptica Uniaxial positivo
Rango de transmisión útil 2,0 um - 10,0 um
Conductividad térmica
@ T= 293 K
35 W/m∙K (⊥c)
36 W/m∙K ( ∥ c)
Expansión térmica
@ T = 293 K a 573 K
17,5 x 106 K-1 (⊥c)
15,9 x 106 K-1 ( ∥ c)

Parámetros técnicos

Tolerancia de diámetro +0/-0,1 mm
Tolerancia de longitud ±0,1 mm
Tolerancia de orientación <30 minutos de arco
Calidad de la superficie 20-10 SD
Llanura <λ/4@632.8 nm
Paralelismo <30 segundos de arco
Perpendicularidad <5 minutos de arco
Chaflán <0,1 mm x 45°
Rango de transparencia 0,75 - 12,0 ?m
Coeficientes no lineales d36 = 68,9 pm/V (a 10,6 μm)
d36 = 75,0 pm/V (a 9,6 μm)
Umbral de daño 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm
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