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Productos

ZnGeP2: una óptica no lineal infrarroja saturada

Breve descripción:

Debido a que posee grandes coeficientes no lineales (d36=75pm/V), amplio rango de transparencia infrarroja (0,75-12μm), alta conductividad térmica (0,35W/(cm·K)), alto umbral de daño por láser (2-5J/cm2) y Debido a su buena propiedad de mecanizado, ZnGeP2 fue llamado el rey de la óptica infrarroja no lineal y sigue siendo el mejor material de conversión de frecuencia para la generación de láser infrarrojo sintonizable de alta potencia.


Detalle del producto

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Descripción del Producto

Debido a estas propiedades únicas, se le conoce como uno de los materiales más prometedores para aplicaciones ópticas no lineales. ZnGeP2 puede generar una salida láser sintonizable continua de 3 a 5 μm a través de la tecnología de oscilación paramétrica óptica (OPO). Los láseres, que funcionan en la ventana de transmisión atmosférica de 3 a 5 μm, son de gran importancia para muchas aplicaciones, como la contramedida infrarroja, la monitorización química, los aparatos médicos y la teledetección.

Podemos ofrecer ZnGeP2 de alta calidad óptica con un coeficiente de absorción extremadamente bajo α < 0,05 cm-1 (en longitudes de onda de bomba de 2,0 a 2,1 µm), que se puede utilizar para generar un láser sintonizable en el infrarrojo medio con alta eficiencia a través de procesos OPO u OPA.

Nuestra Capacidad

La tecnología de campo de temperatura dinámica se creó y aplicó para sintetizar ZnGeP2 policristalino. A través de esta tecnología, se han sintetizado en una sola ejecución más de 500 g de ZnGeP2 policristalino de alta pureza con granos enormes.
El método de congelación de gradiente horizontal combinado con la tecnología de cuello direccional (que puede reducir la densidad de dislocación de manera eficiente) se ha aplicado con éxito al crecimiento de ZnGeP2 de alta calidad.
El ZnGeP2 de alta calidad a nivel de kilogramo con el diámetro más grande del mundo (Φ55 mm) se ha cultivado con éxito mediante el método de congelación de gradiente vertical.
La rugosidad y planitud de la superficie de los dispositivos de cristal, menos de 5 Å y 1/8 λ respectivamente, se obtuvieron mediante nuestra tecnología de tratamiento de superficie fina con trampa.
La desviación del ángulo final de los dispositivos de cristal es inferior a 0,1 grados debido a la aplicación de una orientación precisa y técnicas de corte precisas.
Se han logrado dispositivos con un rendimiento excelente debido a la alta calidad de los cristales y la tecnología de procesamiento de cristales de alto nivel (el láser sintonizable de infrarrojo medio de 3-5 μm se ha generado con una eficiencia de conversión superior al 56 % cuando se bombea con una luz de 2 μm). fuente).
Nuestro grupo de investigación, a través de exploración continua e innovación técnica, ha dominado con éxito la tecnología de síntesis de ZnGeP2 policristalino de alta pureza, la tecnología de crecimiento de ZnGeP2 de gran tamaño y alta calidad y la orientación de cristales y la tecnología de procesamiento de alta precisión; puede proporcionar dispositivos ZnGeP2 y cristales originales a escala masiva con alta uniformidad, bajo coeficiente de absorción, buena estabilidad y alta eficiencia de conversión. Al mismo tiempo, hemos establecido un conjunto completo de plataformas de pruebas de rendimiento de cristales que nos permiten ofrecer servicios de pruebas de rendimiento de cristales a los clientes.

Aplicaciones

● Segunda, tercera y cuarta generación armónica de láser de CO2.
● Generación paramétrica óptica con bombeo a una longitud de onda de 2,0 µm
● Segunda generación armónica de láser de CO.
● Producir radiación coherente en un rango submilimétrico de 70,0 µm a 1000 µm
● En la zona de transparencia del cristal se generan frecuencias combinadas de radiación de láseres de CO2 y CO y otros láseres.

Propiedades básicas

Químico ZnGeP2
Simetría y clase de cristal tetragonal, -42m
Parámetros de red a = 5,467 Å
c = 12,736 Å
Densidad 4,162 g/cm3
Dureza de Mohs 5.5
Clase Óptica Uniaxial positivo
Rango de transmisión útil 2,0 micras - 10,0 micras
Conductividad térmica
@T= 293K
35 W/m∙K (⊥c)
36 W/m∙K (∥c)
Expansión térmica
@ T = 293 K a 573 K
17,5 x 106 K-1 (⊥c)
15,9 x 106 K-1 (∥ c)

Parámetros técnicos

Tolerancia del diámetro +0/-0,1mm
Tolerancia de longitud ±0,1mm
Tolerancia de orientación <30 minutos de arco
Calidad de la superficie 20-10 DE
Llanura <λ/4@632.8 nm
Paralelismo <30 segundos de arco
Perpendicularidad <5 minutos de arco
Chaflán <0,1 mm x 45°
Rango de transparencia 0,75 - 12,0 µm
Coeficientes no lineales d36 = 68,9 pm/V (a 10,6 μm)
d36 = 75,0 pm/V (a 9,6 μm)
Umbral de daño 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm
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